삼성전자, 세계 최초 42나노 3D 적층 트랜지스터 구현

삼성전자가 세계 최초로 42나노미터(nm) 크기의 3D 적층 트랜지스터를 구현하고, 반도체 분야 최고 권위 학술대회인 VLSI에서 최고 논문상을 수상했다.

삼성전자는 2026년 6월 17일 이 같은 성과를 발표했다. 42나노 3D 적층 트랜지스터는 기존 평면 구조의 한계를 넘어 트랜지스터를 수직으로 쌓은 기술이다.

3D 적층 트랜지스터는 동일한 면적에서 더 많은 트랜지스터를 집적할 수 있어 반도체 성능 향상과 전력 효율 개선에 기여할 것으로 평가된다.

VLSI(초고밀도직접회로) 심포지엄은 반도체·디스플레이 분야에서 세계적으로 권위 있는 학술대회로, 최고 논문상 수상은 해당 기술의 학술적 우수성을 국제적으로 인정받은 것을 의미한다.

삼성전자는 이번 기술을 차세대 반도체 공정에 적용해 미세 공정 경쟁력을 강화할 방침이다.