하반기 메모리 가격, 시장 예상치 웃돌 것

한화투자증권이 25일 3분기 DRAM과 NAND 가격이 시장 기대치를 상회할 것이라는 반도체 산업 분석 보고서를 발표했다.

한화투자증권 리서치센터는 3분기 DRAM 가격이 전 분기 대비 15~25%, NAND 가격은 20~25% 상승할 것으로 전망했다. 이는 TrendForce가 지난 3월 제시한 DRAM QoQ +3~8%, NAND QoQ +8~13% 대비 크게 높은 수치다.

DRAM 공급 충족 비율(Sufficiency Ratio)은 2분기 -2.55%에서 3분기 -2.17%로 예상돼 공급 부족이 이어질 전망이다. NAND 역시 비트(bit) 출하 증가가 분기 기준 한 자릿수에 머물러 공급 확대가 제한적이다.

보고서는 공급 부족이 단기 해소되기 어려운 이유로 세 가지를 제시했다. 공급사 재고가 이미 바닥권에 도달했고, 삼성전자 P4L과 SK하이닉스 M15X 신규 팹은 범용 DRAM이 아닌 HBM 수요 대응에 집중되어 있다. 범용 메모리 공급 확대를 위한 삼성전자 P5와 SK하이닉스 Y1의 본격 램프업 시점은 2028년 상반기로 예상된다.

HBM 시장도 내년부터 재차 가격 상승이 예상된다. 현재 내년도 HBM 가격 협상이 진행 중이며, 3분기부터는 최신 세대인 HBM4 본격 출하가 예정돼 있다. 한화투자증권은 2026년이 범용 메모리 가격 급등 사이클이라면, 2027년은 HBM이 업황을 이끌 것으로 분석했다.

2028년 이후 공급 증가 국면에서도 과거와 같은 급격한 이익 훼손 가능성은 낮다고 보고서는 평가했다. 주요 AI·서버 고객과의 장기공급계약(LTA) 확대가 가격 하방을 방어하는 구조로 작용할 것이라는 분석이다.